[发明专利]硅片外延生长的反应尾气的排出装置、系统及方法在审
| 申请号： | 202010917215.5 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN111996592A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张凌云;牛景豪 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 李斌栋;姚勇政 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种硅片外延生长的反应尾气的排出装置、系统及方法，属于半导体制造领域。所述装置包括：用于输送所述反应尾气的尾气输送管道，其中，所述反应尾气在经由所述尾气输送管道输送的过程中会生成各种能够聚集在所述尾气输送管道内部的副产物；设置在所述尾气输送管道外围的电磁波辐射器，所述电磁波辐射器构造成将电磁波辐射至所述尾气输送管道内部，以便通过利用电磁波阻止与所述副产物的化学键相同类型的化学键形成来防止所述副产物生成，并且通过利用电磁波打断已生成的所述副产物的化学键来减少所述副产物的量。本发明实现了能够简单高效地阻止尾气输送管道中的副产物的生成。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 外延 生长 反应 尾气 排出 装置 系统 方法 | ||
【主权项】：
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