[发明专利]一种非易失性存储器的写入方法和装置在审
| 申请号： | 202010898824.0 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112071342A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 拜福君;孙宏滨 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明一种非易失性存储器的写入方法和装置，对存储器单元的状态控制精确，写入速度快，存储单元使用寿命更长。所述装置包含存储单元阵列、写入电路、读取电路和控制电路。写入电路通过BL将激励施加到存储单元阵列中被选中的存储单元，BL同时连接至读取电路。读取电路根据BL上的信号给出存储单元状态的监控结果Dout。控制电路产生控制信号WE连接至写入电路以控制在写操作时写入电路的工作。控制电路产生控制信号RE连接至读取电路以控制写操作和读操作时读取电路的工作。写操作的输入数据Din和读取电路的输出Dout连接至控制电路。控制电路对Din和Dout进行比较，当Dout与Din相同时，表示存储单元已经到达预期状态，控制电路会中止当前激励结束写操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 写入 方法 装置 | ||
【主权项】：
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