[发明专利]一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202010897689.8 申请日: 2020-08-31
公开(公告)号: CN112063984B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 王飞鹏;赵琦;李剑;黄正勇;陈伟根;王有元;潘建宇;谭亚雄;王强;杜林;周湶;谢贵柏;崔万照 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;H01B17/60
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 武君
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种氟化非晶碳薄膜及其制备方法和应用,属于薄膜材料技术领域。氟化非晶碳薄膜由基底层和沉积在其表面的氟化非晶碳薄膜组成。制备包括:将基底层清洗,干燥;打磨聚四氟乙烯靶和石墨靶,并清洗;将预处理后的基底层和靶材放入镀膜室,抽本底真空,通入惰性气体进行预溅射;分别用射频和直流溅射,在基底层表面共溅射,得到氟化非晶碳薄膜。本发明的氟化非晶碳薄膜,通过化学组分和微结构的变化调控薄膜的微观形貌和带隙宽度,从而影响内二次电子出射时的散射强度,以降低薄膜的二次电子发射系数,且具有制备方法简单、实用性好可重复性强、薄膜成分高度可控等优点,在高压绝缘材料领域具有潜在的应用前景。
搜索关键词: 一种 氟化 非晶碳 薄膜 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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