[发明专利]红外MEMS桥梁柱结构及工艺方法在审
| 申请号： | 202010893737.6 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112047294A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种红外MEMS桥梁柱结构及形成方法，所述结构采用多层薄膜复合结构，包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；所述第一释放保护层为氧化硅层；所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层；所述金属介质层包括三层结构，从下至上依次是Ti、TiN以及Ti层。本发明在淀积金属介质层时将薄膜层追加一层金属Ti层，在刻蚀DARC时，金属Ti层可以有效的阻挡刻蚀去胶时氧离子的轰击导致TiN层被氧化，后续湿法刻蚀更容易去除干净，防止残留。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 mems 桥梁 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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