[发明专利]闪存编程操作方法和操作电路有效
| 申请号： | 202010892461.X | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN112071351B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 黄明永 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/24 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。其中。方法包括：向存储单元的位线提供脉冲序列信号，脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；在编程许可信号的控制下，使得存储单元，在脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；在脉冲序列信号的一段低电平期间，使得存储单元进行读检测操作；读检测操作包括：读出存储单元中存储的数据，比较在低电平期间读出的数据与编程输入数据是否一致；若一致，停止编程操作；否则，使得存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程输入数据进行编程操作，并在随后的低电平期间进行读检测操作。其中，电路用于执行上述方法。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 编程 操作方法 操作 电路 | ||
【主权项】：
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