[发明专利]消除体内曲率效应的等势降场器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010888944.2 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111816707B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 章文通;朱旭晗;祖健;乔明;李肇基;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除体内曲率效应的等势降场器件及制造方法，包括元胞区与终端区。元胞区中，第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，漏端以相同工艺引入多晶硅电极与漏极相连的纵向场板。本发明中纵向浮空场板辅助耗尽漂移区，提高了器件耐压。但由于靠近漏端的纵向浮空场板钳位了体内电势，使得等势线在槽底集中，造成了器件的提前击穿。漏端纵向场板与漏极相连，将漏端高电位引入器件体内，消除了体内曲率效应，进一步提高器件耐压。终端区中，纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，漏端的纵向场板形成半圆状阵列，缓解了因曲率增大而导致的靠近漏端的槽底电场的进一步提高。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 体内 曲率 效应 势降场 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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