[发明专利]电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器有效
| 申请号： | 202010887317.7 | 申请日： | 2020-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111965854B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张秀全;张涛;王金翠;李真宇;李洋洋;刘桂银;孔霞 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种电光晶体薄膜及其制备方法，及电光调制器，其中，电光晶体薄膜从下到上依次包括：硅衬底层、二氧化硅层、硅波导层、包覆隔离层、测量反射层、隔离层和功能薄膜层；硅波导层嵌入包覆隔离层中；测量反射层为低微波损耗且可见光波段反射率高的金属或者非金属，用于对隔离层和功能薄膜层的厚度及均匀性进行监控。隔离层做平坦化处理，且可与功能薄膜层键合。采用前述的方案，通过在结构中设置测量反射层，使所述隔离层的厚度可控，减少其厚度偏差，使其表面更平整，均匀性更好，以此来减少键合耦合损耗，使得在制备成电光调制器光信号能在功能薄膜层和硅波导层之间得到很好的耦合，使得制备的器件带宽宽、损耗低，器件一致性好。 | ||
| 搜索关键词： | 电光 晶体 薄膜 及其 制备 方法 调制器 | ||
【主权项】：
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