[发明专利]等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202010877421.8 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN114121581A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 连增迪;左涛涛;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/305 | 分类号： | H01J37/305;H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 周乃鑫;章丽娟 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：反应腔；绝缘窗口，位于反应腔的顶部；线圈，位于绝缘窗口上，线圈包括第一端和第二端；第一线圈连接件，与第一端连接；第二线圈连接件，与第二端连接；射频功率源、第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件形成一个回路，完成射频功率源的接入，当射频功率源经由线圈时会产生电磁场，该电磁场的磁力线穿过绝缘窗口进入反应腔内，再从反应腔穿过该绝缘窗口；当射频功率源依次通过第一线圈连接件、线圈和第二线圈连接件时，第一屏蔽件可屏蔽第一线圈连接件上产生的电磁场，第二屏蔽件可屏蔽第二线圈连接件上产生的电磁场，减小对线圈产生的电磁场的影响，增加等离子体的均匀性，进而增加晶圆刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
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