[发明专利]一种预测γ-TiAl中不同γ/γ界面类型出现比例的相场模拟方法在审

专利信息
申请号: 202010875788.6 申请日: 2020-08-27
公开(公告)号: CN112131710A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 张金虎;许海生;徐东生;孟智超;李学雄;杨亮;杨锐 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F113/26;G06F119/14;G06F111/10
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 于晓波
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种预测γ‑TiAl中不同γ/γ界面类型出现比例的相场模拟方法,属于冶金铸造技术领域。该方法为:S1:获取γ‑TiAl合金α2→γ固态相变过程中两相Gibbs自由能密度及溶质原子的化学迁移率信息;S2:建立相场动力学模型,求解相场控制方程获得序参量结果值;S3:改变γ/γ间界面能差与弹性应变能贡献,得到不同γ/γ界面类型出现比例;S4:对不同输入条件下对应的微观组织演化结果进行可视化处理,获得γ/γ界面类型出现比例受界面能差值以及弹性应变能贡献的影响规律。本发明为γ‑TiAl合金全片层组织的形成过程提供可视化预测方法,为调控γ‑TiAl合金的力学性能提供理论指导。
搜索关键词: 一种 预测 tial 不同 界面 类型 出现 比例 模拟 方法
【主权项】:
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