[发明专利]一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法在审
| 申请号： | 202010872365.9 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN111785640A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种调整LDMOS晶体管中氧化物场板角度的方法，所述方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成第一氧化膜层；执行第一次退火工艺；形成第二氧化膜层，使得第二氧化膜层与第一氧化膜层构成场氧化膜层；以及湿法刻蚀场氧化膜层，以形成氧化物场板，从而形成LDMOS晶体管。本发明首先形成第一氧化膜层，并对所述第一氧化膜层进行第一次退火工艺，接着在形成第二氧化膜层，使得湿法刻蚀时氧化物场板的角度是可控的，该夹角使得后续在氧化物场板上形成场板时没有出现多晶硅残留的问题，同时还提高了击穿电压，减低了特征导通电阻，从而提高了半导体器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 ldmos 晶体管 氧化物 角度 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010872365.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种健康型南瓜蔬菜豆干的制备工艺
- 下一篇：CMOS器件及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
