[发明专利]无源器件制备方法及无源器件在审
| 申请号： | 202010870974.0 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112086441A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 杨志;何洪涛;董春晖;韩易 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 许小荣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于无源器件制备技术领域，提供了一种无源器件制备方法及无源器件，该方法包括：在半导体衬底上制备绝缘介质层；在绝缘介质层上制备氮化钽金属层；对氮化钽金属层进行刻蚀，获得无源器件样品；在无源器件样品上制备钝化层，获得无源器件。本发明基于氮化钽金属层，可以制备与其他电子元器件匹配良好、应用范围广的无源器件，同时可以实现薄膜电容的制备，有利于无源器件的小型化和集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 无源 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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