[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010868480.9 | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112435986A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋妵希;金石镐;罗勋奏;朴宰亨;李圭夏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L25/18;H01L27/146;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括接合在一起的第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、设置在第一基板上并且具有顶表面的第一绝缘层、嵌入在第一绝缘层中并且具有与第一绝缘层的顶表面基本齐平的顶表面的第一金属焊盘、以及设置在第一绝缘层和第一金属焊盘之间的第一阻挡件。第二半导体芯片以与第一半导体芯片相似的构造包括第二基板、第二绝缘层、第二金属焊盘和第二阻挡件。第一绝缘层的顶表面和第二绝缘层的底表面被接合以提供接合界面，第一金属焊盘和第二金属焊盘被连接，并且第一绝缘层的部分与第一金属焊盘的侧部区域接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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