[发明专利]一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置有效
| 申请号： | 202010864102.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN112098481B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;卢诗强;李俊冀;李书平 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G01N27/28 | 分类号： | G01N27/28;G01N27/30 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 杨泽奇 |
| 地址： | 361005 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体材料p型电导技术领域，特别涉及一种用于氮化物半导体材料除氢激活的装置及氮化物半导体材料除氢激活的方法。本发明采用恒电位电化学装置，通过打断p型杂质与H原子的键连，并将H从样品中移除，激活p型杂质的受主活性，在外加电压和电解液离子的共同作用下，H原子与p型杂质的键连可被有效打断并脱离样品，从而使p型杂质被迅速激活，空穴浓度获得提高，可极大地改善p型材料的导电特性。此方法装置简单、操作简便、常温工作，可制备具有良好导电特性的p型氮化物半导体材料，且可对完整器件结构晶圆片做后期处理，在可见光、紫外、深紫外LED、LD、探测器等光电子领域中有着广泛的应用前景和开发潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 氮化物 半导体材料 激活 装置 | ||
【主权项】：
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