[发明专利]一种封装结构及封装结构的形成方法有效
申请号: | 202010860290.2 | 申请日: | 2020-08-25 |
公开(公告)号: | CN111739855B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 卢玉溪;马晓波;王金惠 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L25/16;H01L23/24;H01L21/50 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 郭栋梁 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种封装结构及封装结构的形成方法,其中封装结构包括散热结构,散热结构的第一散热部可以将焊料层和被动元件分开,避免了在焊接焊料层时金属焊料溅射到被动元件上导致短路的风险;此外,第一散热部位于靠近基板中心的区域,可以降低基板翘曲对焊接层的影响,从而避免焊料层结构断裂;同时,多个第一散热部为间隔设置,在对焊料层进行回流焊接时,挥发的助焊剂可以由第一散热部之间的间隙排出,从而保证了焊料层的焊接质量,保证了焊料层的强度;该封装结构和封装结构的形成方法可以提高产品的可靠性,提高产品的良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州通富超威半导体有限公司,未经苏州通富超威半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010860290.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种氮化镓材料的外延结构及制备方法
- 下一篇:一种杆塔盐雾试验装置