[发明专利]基于多漏指结构的GaN HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010850469.X | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111952355B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于多漏指结构的GaN HEMT器件及制备方法，该器件包括：形成于GaN HEMT薄膜结构上的源电极、漏电极及MIS栅电极；形成于MIS栅电极与漏电极之间的漏指金属场板，漏指金属场板包括若干个水平场板及若干个垂直场板，水平场板包括形成于漏指上的导电材料，垂直场板包括形成于漏指槽侧壁上的导电材料。通过在栅电极与漏电极之间形成与漏电极接触连接的漏指金属场板，可以有效改变漏电极端电场的走向，提高GaN HEMT器件的耐压性能，且利于器件的小型化；另外，垂直场板可有效减小整体漏电极端电阻，从而可获得低的导通电阻；再者，漏指金属场板减少了形态不良的欧姆接触的漏电极端的泄漏路径，从而抑制了泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 多漏指 结构 gan hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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