[发明专利]半导体芯片、半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010847533.9 申请日: 2015-04-07
公开(公告)号: CN112071764A 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 周建模;文彰烈;李成熙;黄俊式 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48;H01L23/14;H01L25/00;H01L33/00;H01L33/48;H01L23/00;H01L25/065;H01L21/58;H01L21/98;H01S5/022;H01L33/32;H01L23/488;H01L33
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片,半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构,第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分,接合结构包括银‑锡(Ag‑Sn)化合物和镍‑锡(Ni‑Sn)化合物。
搜索关键词: 半导体 芯片 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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