[发明专利]一种GaN基气体传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010846267.8 | 申请日： | 2020-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN111735859B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 仇志军;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y15/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种GaN基气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域，所述制备方法包括：衬底取样，并用浓磷酸对其表面进行预处理；引入固态Ga源、Al源和NH |
||
| 搜索关键词： | 一种 gan 气体 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院，未经深圳第三代半导体研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010846267.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
