[发明专利]改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010845043.5 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN111933814A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 吴小龑;陈平;刘国栋;李婷;胡流森 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 李朝虎
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了改性空穴传输层钙钛矿发光二极管及其制备方法,涉及光电器件领域,解决了现有钙钛矿发光二极管光电器件性能较低的问题。本发明包括所述空穴传输层用于钙钛矿发光二极管器件中,所述空穴传输层采用包括聚乙烯咔唑、聚环氧乙烯的共混溶液制成,所述空穴传输层用于作为PEABr DMSO溶液的旋转涂抹的依附物;PEABr DMSO溶液在所述空穴传输层上形成二维准晶结构;本发明所制备的光电器件的亮度明显提升、所制备的光电器件的流明效率明显提升、所制备的光电器件的外量子效率明显提升,同时与目前报道的所有文献相比,取得了最佳的性能效果。
搜索关键词: 改性 空穴 传输 层钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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