[发明专利]氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED有效
| 申请号： | 202010844701.9 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN111864099B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 赵维巍;王浩然 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳）;深圳石墨烯创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;B05D3/14;B05D1/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于空穴传输材料技术领域，具体涉及一种氧化镍复合薄膜及其制备方法和LED。该氧化镍复合薄膜的制备方法包括如下步骤：提供初始氧化镍薄膜；在所述初始氧化镍薄膜表面沉积烷基硫酸盐，然后进行氧等离子体处理，得到所述氧化镍复合薄膜。该制备方法能够显著提高氧化镍复合薄膜的功函数，并可提高功函数的稳定性，因此具有很好的空穴传输性能，在发光器件中具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 复合 薄膜 及其 制备 方法 led | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学（深圳）;深圳石墨烯创新中心有限公司，未经哈尔滨工业大学（深圳）;深圳石墨烯创新中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010844701.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
