[发明专利]基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及其制备方法在审
| 申请号: | 202010842129.2 | 申请日: | 2020-08-20 | 
| 公开(公告)号: | CN111933730A | 公开(公告)日: | 2020-11-13 | 
| 发明(设计)人: | 常晶晶;林珍华;赵鹏;苏杰;欧阳晓平;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 | 
| 主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/115;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华 | 
| 地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 | 
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| 摘要: | 
                            本发明公开了一种基于无铅钙钛矿单晶的核辐射探测器及制备方法,主要解决现有技术钙钛矿吸收层含有有毒铅元素和灵敏度较低的问题,其从下而上依次包括前电极(1)、钙钛矿吸收层(2)和背电极(3)。所述钙钛矿吸收层(2)采用无铅钙钛矿晶体,其厚度为1~20mm;该无铅钙钛矿晶体为A | 
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| 搜索关键词: | 基于 无铅钙钛矿单晶 核辐射 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
                暂无信息
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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