[发明专利]一种氧还原电极结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202010840862.0 | 申请日： | 2020-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN114079059A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王益成 | 申请（专利权）人： | 王益成 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 深圳市睿智专利事务所 44209 | 代理人： | 黄宇燕 |
| 地址： | 300073*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种氧还原电极的结构及制造方法，包括电极基体和与该电极基体连接的导电连接端，所述氧还原电极的表面催化剂层，是由电极基体的过渡金属基体外表面的原子直接原位转变而成的过渡金属化合物层。采用控制气氛热处理的方法、CVD方法、熔融盐处理的方法、水热反应的方法、电解的方法、磁控溅射的方法，形成过渡金属化合物层。本发明的氧还原电极的表面催化剂层具有高度稳定的结构，与过渡金属基体之间具有非常牢固的结合，这保证了氧还原电极的长寿命和效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 还原 电极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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