[发明专利]一种无源压电自供能单元结构的制备工艺有效
| 申请号： | 202010836348.X | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111952436B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王磊磊;何强;韩钰;姚德贵;王珂;张嵩阳;王广周;耿进锋;汲胜昌;肖伟民;王东晖 | 申请（专利权）人： | 国网河南省电力公司电力科学研究院;全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/316 | 分类号： | H01L41/316;H01L41/332;H01L41/113 |
| 代理公司： | 苏州知途知识产权代理事务所(普通合伙) 32299 | 代理人： | 张锦波 |
| 地址： | 450000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无源压电自供能单元结构的制备工艺，包括：在硅基片的正面、背面分别沉积氧化硅层、氮化硅层；对所述硅基片背面的氮化硅层和氧化硅层进行蚀刻，形成阵列图案；湿法腐蚀硅基片，在所述硅基片的背面形成阵列式的矩形空腔；在硅基片正面的所述氮化硅层上溅射下电极层；在所述下电极层上溅射压电薄膜，并为所述压电薄膜开设缝隙；在所述压电薄膜上溅射上电极层；采用深反应离子刻蚀，去除所述矩形空腔内的硅基底，释放压电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无源 压电 自供 单元 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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