[发明专利]基于SiC衬底和LiCoO2

摘要

本发明公开了基于SiC衬底和LiCoO2缓冲层的AlN单晶材料制备方法，主要解决现有技术制得的自支撑c面AlN单晶材料缺陷密度高，厚度小，物理强度差和剥离成本高的问题。其实现方案是：选用c面SiC作为衬底，以利于降低缺陷密度；选用LiCoO2作为缓冲层，以利于制作厚度大于1μm的AlN单晶材料；在LiCoO2缓冲层和外延AlN材料界面处使用化学腐蚀法或刻蚀法或隔热胶带法进行剥离；对剥离后的基片进行清洗与烘干，制得自支撑c面AlN单晶材料。本发明制作的自支撑c面AlN单晶材料缺陷密度低，厚度大，物理强度高，且剥离成本低，可用于制作柔性可穿戴器件。