[发明专利]泡沫硅负极材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010821059.2 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN112158846A 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 李穷;胡天文;李涛;邵振东 申请(专利权)人: 安徽德亚电池有限公司
主分类号: C01B33/029 分类号: C01B33/029;H01M4/38;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 梁秀秀
地址: 237000 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开一种泡沫硅负极材料制备方法,包括以下步骤:取碳酸钙,研磨成50‑100nm粒径大小的碳酸钙粉末;往碳酸钙粉末在400‑500℃温度条件下通入SiH4与Ar气体1‑2.5h,通过气相沉积法得到粉末状的混合物A;其中,SiH4与Ar气体的重量比为3:97‑7:93。将混合物A加入2wt%‑7wt%的HCL溶液中脱模,即得泡沫硅负极材料。本发明通过在纳米碳酸钙表面利用气相沉积法包覆一层硅层,然后利用酸溶液进行脱模得到泡沫硅结构。泡沫硅材料相较于纳米硅材料具有更高的比表面积、良好的结构稳定性以及更稳定的活性材料‑电解质界面,从而在多次循环充放电后,进而限制了SEI膜的过度生产,提高了材料的可逆容量。特别的,疏松多孔的泡沫硅结构能够很好的应对硅体积膨胀带来的影响。
搜索关键词: 泡沫 负极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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