[发明专利]多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路有效
| 申请号： | 202010817034.5 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112071356B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王鑫 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体存储器件技术领域，具体涉及一种多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路。该多次可编程EEPROM单元的裕度测量电路包括：第一数据存储单元和第二数据存储单元；第一参考电流源和第二参考电流源；锁存比较器包括第一数据端和第二数据端，第一数据端的数据和第二数据端的数据互为反码；第一控制单元用于根据控制信号控制第一数据存储单元的数据节点或第一参考电流源的输入端，与第一数据端导通；第二控制单元用于根据控制信号控制第二数据存储单元的数据节点或第二参考电流源的输入端，与第二数据端导通。本申请可以解决相关技术中难以测量双单元结构的多次可编程EEPROM单元结构中存储位元的电压裕度问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多次 可编程 eeprom 单元 测量 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010817034.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水利施工管道外表面杂质清理装置
- 下一篇：一种产科用脚部手部锻炼设备
