[发明专利]一种制备薄层碳负载纳米二氧化硅材料原位发泡工艺有效
| 申请号： | 202010815262.9 | 申请日： | 2020-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111925658B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 丁春艳;吴松松;李英杰;吴赟 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | C08L91/06 | 分类号： | C08L91/06;C08K9/12;C08K3/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种批量制备薄层碳负载纳米SiO2复合材料的原位发泡工艺，包括如下步骤：葡萄糖、SiO2（200nm）溶于去离子水中，超声五分钟形成均匀溶液后逐滴加入硝酸铵溶液中并加热搅拌得到混合溶液，放入鼓风干燥箱中在120℃的条件下反应7小时，得到前驱体，经700℃热处理后得到薄层碳负载纳米SiO2复合材料。本方法属于化工原料生产领域，该方法制备的吸波材料具有轻质、宽频（7.1GHz）、超强吸收（‑47.7dB），低密度，可以批量制备等诸多优点，能够实现在吸波领域大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 薄层 负载 纳米 二氧化硅 材料 原位 发泡 工艺 | ||
【主权项】：
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