[发明专利]磁-光复合纳米结构、其制造方法以及检测、分离或成像分析物的方法在审
| 申请号： | 202010806468.5 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112391347A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 金永根;金维辰;朴范哲;金明洙 | 申请（专利权）人： | 高丽大学校产学协力团 |
| 主分类号： | C12N5/09 | 分类号： | C12N5/09;G01N33/543;G01N33/569;G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国首尔*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种磁‑光复合纳米结构、其制造方法以及检测、分离或成像分析物的方法，磁‑光复合纳米结构由于由第一核‑壳纳米颗粒和第二核‑壳纳米颗粒组成而具有异质性质，且因此同时实现磁功能和光功能。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 纳米 结构 制造 方法 以及 检测 分离 成像 分析 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高丽大学校产学协力团，未经高丽大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010806468.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像电路及其操作方法以及图像传感器像素
- 下一篇：半导体功率器件及其制造方法
