[发明专利]包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管在审
| 申请号： | 202010804874.8 | 申请日： | 2020-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN112582474A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张明成;陈倪尔 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及包括浮栅的扩展漏极场效应晶体管，提供一种扩展漏极场效应晶体管的结构和形成一扩展漏极场效应晶体管的方法。源极区域耦接至半导体层，漏极区域耦接至该半导体层，以及第一栅极结构位于该半导体层的沟道区域上方。扩展漏极区域位于该沟道区域与该漏极区域之间。该扩展漏极区域包括位于该第一栅极结构与该漏极区域之间的该半导体层的一部分。第二栅极结构布设于该半导体层的该部分上方。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 扩展 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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