[发明专利]一种多态存储器、其制备方法和存储方法及人工突触器有效
| 申请号： | 202010803110.7 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111933789B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 席力;貟吉军;常美霞;左亚路;杨德政;薛德胜 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京兴智翔达知识产权代理有限公司 11768 | 代理人： | 郭卫芹 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多态存储器、其制备方法和存储方法及人工突触器，该多态存储器具有多层薄膜结构，从下至上依次包括：自旋流产生层、第一交换偏置层、绝缘材料层、第二交换偏置层和上电极；其中，自旋流产生层用于产生对磁矩施加自旋轨道力矩的自旋流；第一交换偏置层用于存储数据；绝缘材料层用于提供垂直磁各向异性；第二交换偏置层用于读取隧穿磁电阻；自旋流产生层的两端分别设置为第一电极和第二电极，第一电极和第二电极间施加写电流，以存储数据；第二电极和上电极间施加读电流，以读取数据。本发明有效提升多态存储器的存储密度、存储稳定性、并降低存储功耗、提高存储器的抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制备 方法 存储 人工 突触 | ||
【主权项】：
暂无信息
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