[发明专利]一种使高压大功率IGBT封装结构中电场分布均匀的方法在审
| 申请号： | 202010802463.5 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN112071807A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张博雅;李凯旋;李兴文 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/14;H01L23/15;H01L29/739 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使高压大功率IGBT封装结构中电场分布均匀的方法，在IGBT封装结构中的直接覆铜陶瓷基板边沿涂抹一层绝缘涂层，所述绝缘涂层为场控材料试样；所述场控材料试样填充至IGBT封装结构中三种区域界面的公共边界线上；三种区域界面包括直接覆铜陶瓷基板的上部金属区域侧面、陶瓷区域上表面与封装硅凝胶材料区域表面和直接覆铜陶瓷基板的下部金属区域侧面、陶瓷区域下表面与封装硅凝胶材料区域表面；场控材料试样覆盖直接覆铜陶瓷基板的上部金属区域侧面与陶瓷区域上表面和直接覆铜陶瓷基板的下部金属区域侧面与陶瓷区域下表面；通过场控材料试样本身的特性将IGBT封装结构中的最高电场强度降至击穿电场强度以下，实现了高场高温工作条件下的有效绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 大功率 igbt 封装 结构 电场 分布 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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