[发明专利]一种基于MoOx在审

专利信息
申请号: 202010801996.1 申请日: 2020-08-11
公开(公告)号: CN111697150A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 杜祖亮;蒋晓红;王安珍 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/00;H01L51/56
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 张丽
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明属于发光二极管技术领域,具体涉及一种基于MoOx空穴注入层的QLED器件及其制备方法。本发明选择具有无毒﹑高功函数﹑良好环境稳定性的MoOX薄膜为空穴注入层,通过对MoOx薄膜进行厚度﹑退火温度﹑UV‑O3处理等实验参数的优化,获得基于MoOx混合空穴注入层的QLED器件,通过对器件性能进行表征,结果表明,当前驱体浓度为6%w/v,退火温度为130℃,UV‑O3处理时间为10 min时,所获得的器件性能最佳,最高亮度达229400 cd/m2,最大电流效率和最大外量子效率分别为41.75 cd/A和9.70%。
搜索关键词: 一种 基于 moo base sub
【主权项】:
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