[发明专利]一种制备高质量超导隧道结电路的方法在审
| 申请号： | 202010801517.6 | 申请日： | 2020-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN111933788A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王争;李婧;刘冬;史生才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院紫金山天文台 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/02 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 刘佳慧 |
| 地址： | 210008 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备高质量超导隧道结电路的方法，包括以下步骤：步骤一、在衬底上形成下超导层‑绝缘层‑上超导层结构的三层膜图形；步骤二、采用正性光刻胶和光刻‑刻蚀工艺去除部分上超导层薄膜，形成所需的超导隧道结图形，并保留刻蚀完后的光刻胶；步骤三、进行等离子氧处理，并保留处理完后的光刻胶；步骤四、沉积电路中所需介质层，并用剥离工艺形成介质层图形；步骤五、沉积引线层薄膜材料，用光刻‑刻蚀工艺形成引线层图形。本发明采用的等离子氧处理对下超导层材料没有氧化作用，不会恶化器件的射频性能，同时还能获得高质量的超导隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 质量 超导 隧道 电路 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院紫金山天文台，未经中国科学院紫金山天文台许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010801517.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：活萃冻干粉及其制备方法
- 下一篇：一种大面积皮肤上药仪器
