[发明专利]一种基于双应力加速贮存试验的传感器寿命获取方法在审
| 申请号: | 202010795677.4 | 申请日: | 2020-08-10 |
| 公开(公告)号: | CN111947703A | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
| 发明(设计)人: | 吴凌慧;王洪岩;李金平;张鹏;荆志彬;浦龙 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00 |
| 代理公司: | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人: | 杨晓辉 |
| 地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: |
一种基于双应力加速贮存试验的传感器寿命获取方法,属于传感器领域,本发明为解决只采用温度单应力进行加速贮存试验来获取传感器寿命,其结果不准确的问题。本发明方法包括以下步骤:步骤一、将传感器进行温湿度双应力加速贮存试验,具体过程为:对传感器施加温湿度双应力使之从自然贮存条件升至设定加速贮存条件,并保持一个循环周期t,然后撤销温湿度双应力,使传感器从设定加速贮存条件降至自然贮存条件,然后对传感器进行通电测试,若性能完好,重复执行本步骤,若无法通过性能测试,则结束试验并执行步骤二;步骤二、按t |
||
| 搜索关键词: | 一种 基于 应力 加速 贮存 试验 传感器 寿命 获取 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十九研究所,未经中国电子科技集团公司第四十九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010795677.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。





