[发明专利]低损耗G.652.D光纤及其制作方法有效
| 申请号： | 202010794339.9 | 申请日： | 2020-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN112062460B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 陈炳炎;王秋萍;龚成 | 申请（专利权）人： | 普天线缆集团有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 常州格策知识产权代理事务所(普通合伙) 32481 | 代理人： | 陈磊 |
| 地址： | 330000 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗G.652.D光纤，用VAD法制作掺氯纤芯，用OVD法在纤芯上制作掺氟的内包层，用POVD法制作掺氟的斜坡下陥包层和外包层，在线拉丝；掺氯纤芯和掺氟的内包层的粘度匹配，降低因芯/包粘度失配引起导光界面的应力而产生的光纤附加损耗，不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗，掺氯纤芯和内包层界面形成光纤的导光界面结构，斜坡型下陷包层的内径处，折射率由内向外由大减小，形成第二导光界面，下陷包层折射率分布处的折射率呈现斜坡型，与外包层形成梯度差，其界面折射率由内向外，从小到大，不形成明显的折光面。本发明低损耗G.652.D光纤及其制作方法，能够达到纤芯和包层粘度匹配，同时不会增加纤芯因组份起伏引起的瑞利散射损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 损耗 652. 光纤 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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