[发明专利]一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触

摘要

本发明是一种面向晶硅太阳电池的电子选择性接触结构，属晶硅太阳电池技术领域。本发明包括如下功能层：晶硅衬底、钝化薄膜、钙钛矿薄膜、缓冲层、透明导电薄膜和电极；其组成顺序方式是：在晶硅衬底上沉积钝化薄膜，钙钛矿薄层沉积在钝化薄膜上，然后缓冲层制备在钙钛矿薄层上，在缓冲层上沉积透明导电薄膜，最后在透明导电薄膜上制备电极。本发明的电子选择性接触可以实现高效的电子选择功能，同时具有低的寄生光学吸收，或者被钙钛矿层吸收的光子能有效转化成电池的光电流并被输出，因而提高晶硅太阳电池的光谱响应，最终提高转换效率。并且该结构有利于实现结构简单、成本低廉的晶硅太阳电池。