[发明专利]EDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010786083.7 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN112038338A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种EDMOS器件及其制造方法，涉及半导体制造领域。该EDMOS器件至少包括衬底；位于在衬底内的漂移区；位于衬底内的两个体区，两个体区关于漂移区对称；位于衬底表面的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第四栅极结构；漂移区内设置有漏区，漏区位于第三栅极结构和第四栅极结构之间；第一栅极结构、第二栅极结构关于漏区对称，第三栅极结构和第四栅极结构被漂移区包围；第一体区和第二体区内分别设置有源区；解决了目前对称的EDMOS器件在制造过程中无法保证两个对称的EDMOS器件的性能完全一致的问题；达到了控制对称的EDMOS器件的性能保持一致，提升器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | edmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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