[发明专利]在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置及制备方法

摘要

在硅片表面制备二氧化硅和多晶硅薄膜的装置，包括从前至后依次串联的进口预抽室、进口过渡室、至少一个氧化室、至少一个工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室、出口室，任意相邻的两个腔室之间的连接处均设有真空隔离插板阀，进口预抽室、出口室的分别设有翻板阀，进口预抽室和出口室上连接有真空泵，进口过渡室、氧化室、工艺室、回火室、冷却室、出口缓冲室上均连接有涡轮分子泵，氧化室上连接有低能氧离子源，工作室内设有硅靶和气态掺杂源，回火室内的前部设有红外加热源、后部设有紫外激光回火系统。使用时将硅片放在石墨托盘上依次经过各腔室反应即可，上述设备结构简单，造价便宜，使用过程成本低。