[发明专利]一种硅基量子点光子晶体激光器及加工方法在审
| 申请号： | 202010785225.8 | 申请日： | 2020-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN111864536A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;周陶杰 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 梁韬 |
| 地址： | 518100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基量子点光子晶体激光器及加工方法，该激光器结构包括依次层叠的：硅衬底层、缺陷抑制层、牺牲层、发光层和盖层。缺陷抑制层处在硅衬底层上，包括交替层叠的第一量子点层和三五族缓冲层，与硅衬底层接触的为第一量子点层，与牺牲层接触的为三五族缓冲层，牺牲层为中空结构，发光层包括交替层叠的第二量子点层和间隔层以及包覆层，与牺牲层和包覆层接触的均为间隔层，发光层为空气孔结构。该激光器采用在硅衬底层上生长量子点层做为激光器的增益介质,从而制备硅基直接生长的高密度集成的三五族激光器的方法，使激光器具有体积小，重量轻，工作稳定可靠的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 光子 晶体 激光器 加工 方法 | ||
【主权项】：
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