[发明专利]一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片在审
| 申请号： | 202010778642.X | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111948175A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 何赛灵;刘振超;郭庭彪 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N21/552 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林松海 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片，所述的折射率传感芯片分为四层结构，第一层为底层的透明介质基底，第二层为金属薄膜层，第三层介质光栅层，第四层为高折射率介质光栅层；其中，介质光栅层和高折射率介质光栅层为周期性光栅阵列，光栅周期同为p，光栅占空比同为q，厚度分别为t1和t2，其中t1t2；通过调整芯片的结构参数，包括金属薄膜层厚度和高折射率介质光栅层的光栅参数及厚度，在Q值较低的GMR（Guided‑Mode Resonance）共振峰的基础上，衍生出一个高Q的共振峰；该高Q共振峰处伴随着相位突变，高Q共振峰具备偏振敏感性。基于本发明可实现高灵敏的折射率传感，对疾病诊断、药物研发、生物化学检测等领域具有发展性的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fom 金属 介质 辅助 gmr 折射率 传感 芯片 | ||
【主权项】：
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