[发明专利]测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置在审
| 申请号： | 202010776371.4 | 申请日： | 2020-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN111965129A | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 衡鹏;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/3504 | 分类号： | G01N21/3504;G01N21/3563 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置，属于半导体技术领域。测量单晶硅间隙氧含量的方法，包括：将单晶硅样品切割成固定尺寸的单晶硅样品块；形成包覆所述单晶硅样品块表面的保护膜，所述保护膜不含氧元素；对所述单晶硅样品块进行煅烧，对煅烧得到的气体进行检测，得到所述单晶硅样品块的氧含量。本发明能够有效提高氧含量的数据的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 单晶硅 间隙 含量 方法 装置 | ||
【主权项】：
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