[发明专利]一种单晶硅制备方法及装置有效
| 申请号： | 202010772111.X | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN111647940B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;尚伟泽;白枭龙 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 钱娴静 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请涉及光伏领域，提供一种单晶硅制备方法及装置，其中，方法包括以下步骤：（1）将多晶硅原料以及掺杂物放入石英坩埚中；（2）熔化多晶硅原料得到硅熔体；（3）将晶种浸入硅熔体中开始引晶，引晶过程中，提升水冷热屏，使得水冷热屏底部与硅熔体表面之间的距离调整至第一预设距离；（4）引晶结束后，开始放肩，使得晶体的直径逐步增大至预设宽度；（5）开始等径生长，等径生长过程中，下降水冷热屏，使得水冷热屏底部与硅熔体表面之间的距离调整至第二预设距离；（6）等径生长完成后，使得晶体的直径逐步缩小直至与硅熔体分离；（7）生长完成的晶体冷却后取出。本申请的单晶硅制备方法及装置，能够增大晶体的纵向温度梯度，提高单晶硅的生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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