[发明专利]一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺在审
| 申请号： | 202010767349.3 | 申请日： | 2020-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN111863603A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 崔文荣 | 申请（专利权）人： | 江苏晟驰微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 史炜炜 |
| 地址： | 226600 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，涉及芯片技术领域，具体为一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，包括以下步骤：S1、扩散前处理；S2、氧化；S3、光刻；S4、双面开管磷沉积；S5、开管扩磷；S6、蚀刻沟槽；S7、电泳钝化；S8、完成芯片制造。该低压低漏流高效保护芯片制造工艺通过芯片表面高浓度N+层有助于提升抗浪涌能力，沟道扩散有助于降低漏电，电泳的致密性薄层提升可靠性；芯片采取台面工艺，增加N型区耗尽层结构，改变了N型扩散区的浓度结构曲线，利用N型扩散区耗尽层宽度的附加耐压，增加了P+区宽度；增宽了高导电率区域，增强了P+区对P基区发射电子的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压低 高效 保护 芯片 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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