[发明专利]半导体电容器结构及制造方法

摘要

本申请公开了一种半导体电容器结构及制造方法，半导体电容器结构，包括：底层，所述底层包括间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极包括底部和底部两边的侧壁，所述底部位于所述焊垫的顶面上；介质层，沿着所述下电极的内侧壁形成；上电极，填充于所述介质层容纳的空间中；支撑层，至少一对相邻所述下电极的侧壁之间设置有三层或三层以上支撑层。本申请实施例提供的半导体电容器结构，在相邻两电极之间沿着垂直于底层的方向上具有多个支撑层，解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题，获取了更多的刻蚀裕量，可以确保获取存储电容所需要的电容器高度。