[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010760781.X | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068481A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/538;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供有栅极结构的基底，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧基底中有源漏掺杂区，基底上有底部介质层，基底包括用于形成共享接触插塞的共享接触区，位于共享接触区的源漏掺杂区为第一源漏掺杂区，剩余为第二源漏掺杂区；在底部介质层中形成与第二源漏掺杂区相连的第一源漏互连层、以及位于第一源漏互连层顶部的源漏盖帽层；在底部介质层中形成与第一源漏掺杂区相连的第二源漏互连层；形成覆盖栅极盖帽层、源漏盖帽层、第二源漏互连层和底部介质层的顶部介质层；在共享接触区中，形成贯穿顶部介质层和栅极盖帽层的共享接触插塞。本发明降低共享接触插塞的形成难度、提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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