[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010760778.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114068394A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括共享接触区，基底上有栅极结构，栅极结构顶部有栅极盖帽层，栅极结构两侧有源漏掺杂区，源漏掺杂区顶部有堆叠的源漏互连层和源漏盖帽层；刻蚀共享接触区的源漏盖帽层或栅极盖帽层，形成贯穿源漏盖帽层或栅极盖帽层的第一沟槽；在第一沟槽中形成牺牲层，牺牲层的耐刻蚀度小于源漏盖帽层的耐刻蚀度；形成覆盖牺牲层、栅极盖帽层和源漏盖帽层的顶部介质层；在共享接触区中，刻蚀栅极结构顶部的顶部介质层、栅极盖帽层和牺牲层，或者，顶部介质层、牺牲层和源漏盖帽层，形成与第一沟槽相连通的第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中形成共享接触插塞。本发明提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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