[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010760753.8 | 申请日： | 2020-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN114063320A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 程东向;代洪刚;刘俊;曹恒;周朝锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/015 | 分类号： | G02F1/015;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成覆盖第一介质层、第一金属层和第二金属层的第二介质层；在第二介质层上形成调节材料层；刻蚀调节材料层和第二介质层，露出第一金属层和第二金属层的顶部，剩余的调节材料层作为调节层；形成保形覆盖第一金属层、第二金属层以及调节层的第三介质层，刻蚀第三介质层，形成露出第一金属层、第二金属层以及调节层的开口的过程中，第一金属层、第二金属层和调节层上的开口易同时形成，调节层不易受损伤，工作时，调节层更易提供工艺设计的发热量，第一掺杂层和第二掺杂层的温度发生改变，光在第一掺杂层和第二掺杂层构成的PN结中传输的相位易发生改变，使得解调的效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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