[发明专利]一种提升铪基铁电薄膜性能的方法和应用在审

专利信息
申请号: 202010757391.7 申请日: 2020-07-31
公开(公告)号: CN111945133A 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 陆旭兵;邹正淼 申请(专利权)人: 肇庆市华师大光电产业研究院
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C23C14/34;C23C14/24;C23C14/18;C23C14/06;C23C16/56;H01G4/33
代理公司: 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 代理人: 张丽
地址: 526000 广东省肇庆市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于铁电薄膜材料技术领域,公开了一种提升铪基铁电薄膜性能的方法,包括以下步骤:(1)在清洗干净的衬底上生长TiN底电极;(2)在TiN底电极上通过原子沉积法沉积一层氧化铪‑氧化锆薄膜;(3)在氧化铪‑氧化锆薄膜上沉积氧化锆盖层;(4)退火即可。本发明采用原子层沉积一层氧化锆盖层提升铪基铁电薄膜的方法控制精准,形成的薄膜均匀性好,有利于大面积生产。采以氧化锆作为盖层明显降低了铪基铁电薄膜中非铁电相的比例,提高了正交相的比例,剩余极化强度值提升一倍,同时薄膜的漏电流减少,更不容易发生击穿,薄膜的可靠性得到了提升,在104s后剩余极化仍有初始值的85%。
搜索关键词: 一种 提升 铪基铁电 薄膜 性能 方法 应用
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