[发明专利]栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法有效
| 申请号： | 202010756734.8 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN111900199B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;李平;曾荣周;张庆伟;李夏 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/24;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法，涉及微电子技术和半导体技术，本发明包括下述步骤：1)施加第一栅电压，完成对沟道半导体中载流子的抽取，2)施加与第一栅电压相反极性的第二栅电压，并通过控制第二栅电压的幅度，控制注入载流子的数量，从而实现低功耗；所述栅极抽取和注入场效应晶体管在绝缘层上设置有源极、漏极、栅极和沟道半导体区，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，所述栅介质层为电阻值为10 |
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| 搜索关键词： | 栅极 抽取 注入 场效应 晶体管 载流子 控制 方法 | ||
【主权项】：
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