[发明专利]一种浮栅型FLASH突触器件结构有效
| 申请号： | 202010752691.6 | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111833945B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 刘国柱;魏敬和;于宗光;宋思德;曹利超;赵伟 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G06N3/063;H01L27/1156 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种浮栅型FLASH突触器件结构，属于微电子集成电路技术领域，包括3个FLASH器件：两个pFLASH管和一个nFLASH管；其中一个pFLASH管T1为控制管，起编程、擦除和校验作用；另一个pFLASH管T2和nFLASH管T3为信号存储管；通过共栅方式pFLASH管T1控制pFLASH管T2和nFLASH管T3的多种存储信息状态，以建立pFLASH管T2和nFLASH管T3的STDP学习函数，实现该FLASH突触器件的LTD与LTP基本功能。本发明的FLASH仿生突触器件采用共浮栅技术和电荷共享基本原理，实现正/反STDP学习函数两种特性，器件结构简单，易适用于大规模集成；与传统的忆阻器相比，无需选通管。本发明突触器件具有良好的编程效率、可靠性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浮栅型 flash 突触 器件 结构 | ||
【主权项】：
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