[发明专利]减少半导体荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统有效
| 申请号： | 202010750048.X | 申请日： | 2020-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN111881586B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 丁鑫锐;梁怡富;汤勇;李宗涛;余彬海 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/14 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种减少半导体荧光元件热量聚集的转化器制造方法及系统，该方法步骤包括：统计所用材料的属性参数，计算不同浓度荧光元件的等效导热率并建立荧光元件的热阻模型；计算不同粒径颗粒对不同波长的散射截面、散射系数、吸收截面和吸收系数；计算荧光元件不同深度上的荧光激发的光线能量及转化后的热量；设定初始化荧光粉浓度参数以及需优化的梯度浓度区域；在热阻模型代入荧光元件产生热量值计算荧光元件梯度浓度区域最高温度值；判断每一个浓度区域最高温度值是否小于设定要求。本发明综合考虑等效导热率以及多荧光颗粒光热转化率，匹配激发光源光型，避免荧光元件高发热的浓度区域发生，同时不改变转化后的光强分布、光谱强度等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 半导体 荧光 元件 热量 聚集 转化 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010750048.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锥形制网机
- 下一篇：一种出租车轨迹热点区域分析方法及系统
